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2025-07-05 02:47:55
社招司面b)不同照射位置下的平均值。
Se层不仅可以防止在InSe表面直接蒸镀金属导致的破坏，｜国还可以对InSe进行封装以提高器件的稳定性，｜国超薄层Se的存在能够有效的避免界面的费米钉扎效应。直接蒸镀金属的过程引起了2D半导体材料表面的掺杂和损害，家电导致了接触界面的化学无序和费米钉扎。
目前国际上针对高性能的二维电子器件来说，网旗最核心的难点就是金属与二维半导体材料之间的接触问题，网旗特别是在低的工作电压范围和短沟道的器件中，它极大的阻碍了本征半导体材料高性能的发挥，这是电子器件的性能远低于其理论值主要因素之一。下中向社因此需要一种更加简便有效的策略去改善接触条件以提高二维电子器件的性能。相关研究工作得到了国家重点研发项目、电装国家自然科学基金项目、电装山东省杰出青年基金项目、山东省重大科技创新工程、山东大学齐鲁青年学者、山东大学青年交叉科学创新群体等项目的支持。
包括：聘管低功率氮等离子体快速修复本征缺陷的高性能二电子器件（Small,2019,1901791.正封底文章，聘管IF:10.856），基于微流控技术的单细胞分析（Small,2019,1905001.封面文章，IF:10.856），针对神经信号进行实时原位检测的高稳定性的新型电子器件（npj2DMateriualsandApplications,2019,3,29.Nature旗下，2019即时预测影响因子7.5-10），基于压电子学效应的高灵敏的二维压力传感器（NanoEnergy,2020,70,1044457.IF:15.548）等高水平成果。由于二维半导体材料表面界面的复杂性，理人直接在材料的表面蒸镀金属电极的传统方式很难将接触做到最好，理人如何优化金属与二维半导体的接触界面是一项重要的技术挑战。
针对上述难点，社招司面课题组发展了一种低晶格失配（1.1%）的Se与InSe的垂直范德华异质结来改善二维接触条件，社招司面这是一种简单有效的策略可以让半导体表面避免了直接金属化的破坏和化学无序。
器件整体性能达到国际先进水平，｜国此外在实际应用中，与InSe器件相比，InSe-Se异质结器件具有更快的光响应时间和更宽的波长响应范围。北欧神话虽然不如希腊神话和圣经那样著名，家电但是其对世界的影响仍然极为广泛，几乎渗透于生活的方方面面。
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